2017/08/09 14:54 KST

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Samsung presenta su chip de memoria V-NAND de alta tecnología

En la imagen se muestra el nuevo disco duro de estado sólido de Samsung Electronics Co., el NGSFF SDD
En la imagen se muestra el nuevo disco duro de estado sólido de Samsung Electronics Co., el NGSFF SDD

Seúl, 9 de agosto (Yonhap) -- Samsung Electronics Co. ha presentado este miércoles su chip de memoria de 1 terabit (Tb) V-NAND, que tiene por fin responder a la creciente demanda del mercado y los desarrollos tecnológicos en el campo del proceso de datos y los sistemas de almacenamiento.

"La llegada del V-NAND de 1 Tb el próximo año permitirá 2 terabytes (TB) de memoria en un solo paquete de V-NAND apilando matrices de 1 Tb y representará uno de los avances en memoria más importantes de la última década", dijo la firma surcoreana.

Un terabit es igual a cerca de 128 GB, suficiente espacio para almacenar casi 60 películas de alta definición de dos horas de duración.

Samsung dijo que la tecnología V-NAND es importante dado que supera los límites de la tecnología previa 2D NAND en términos de capacidad mediante su diseño vertical.

La firma añadió que el papel de las memorias flash se ha vuelto extremamente importante en el aceleramiento de la velocidad en la que la información es extraída para un análisis en tiempo real, debido al incremento de las aplicaciones de uso intensivo de datos en diversas industrias que utilizan la inteligencia artificial y el internet de las cosas.

Samsung también presentará su disco duro de estado sólido (SSD, según sus siglas en inglés), el Next Generation Small Form Factor (NGSFF), que puede mejorar considerablemente la capacidad de almacenamiento. Según la firma, la nueva tecnología permitirá incrementar en cuatro veces la capacidad de almacenamiento en comparación con las soluciones anteriores.

La producción en serie de los NGSFF SSD comenzará en el último trimestre de 2017.

paola@yna.co.kr

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