2017/12/20 11:00 KST

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Samsung produce en masa la 2ª generación de DRAM de 10 nanómetros

Seúl, 20 de diciembre (Yonhap) -- Samsung Electronics Co. ha dicho, este miércoles, que comenzó la producción masiva de chips de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM, según sus siglas en inglés), de segunda generación de proceso de 10 nanómetros.

El gigante tecnológico surcoreano dijo que está produciendo chips DDR4 de 8 gigavatios utilizando tecnología de clase de 10 nanómetros, lo que supone otro avance después de que Samsung adoptara la tecnología de primera generación en febrero de 2016.

En comparación con la primera generación, Samsung dijo que la productividad se ha expandido un 30 por ciento, lo que ayudará a la compañía a satisfacer la creciente demanda de chips DRAM de los clientes de todo el mundo.

El principal fabricante de chips del mundo dijo que los chips DRAM de segunda generación de 10 nanómetros son un 10 por ciento más rápidos que los de primera generación, y que consumen un 15 por ciento menos de energía.

Samsung dijo que los nuevos chips DRAM han duplicado la capacidad, velocidad y eficiencia energética de los chips DDR3 de 4 gigavatios producidos por el proceso de 20 nanómetros en 2012.

La compañía dijo que al expandir la producción de DRAM de 10 nanómetros, su plan es fortalecer aún más la competitividad en general, añadiendo que aplicará el nuevo proceso para producir más productos prémium para sus socios.

Samsung dijo que planea intervenir más profundamente en el mercado de servidores, dispositivos móviles y chips gráficos utilizando su último logro.

adrian@yna.co.kr

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