Samsung comienza la producción en masa de sus memorias DRAM móviles de clase de 10 nanómetros de segunda generación

2018/07/26 16:41 KST

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Samsung comienza la producción en masa de sus memorias DRAM móviles de clase de 10 nanómetros de segunda generación

Seúl, 17 de julio (Yonhap) -- Samsung Electronics Co. ha dicho, este jueves, que comenzó su producción en masa de las memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM, según sus siglas en inglés) móviles LPDDR4 (doble velocidad de datos con bajo consumo de energía 4) de 16 gigabit (Gb) de clase de 10 nanómetros de segunda generación, ofreciendo una solución más delgada y de consumo energético eficiente diseñada para dispositivos móviles.

El gigante tecnológico surcoreano dijo que el hito fue logrado ocho meses después de haber comenzado la producción en masa de los chips de DRAM para servidores DDR4 de 8 Gb de clase de 10 nanómetros de segunda generación.

Tras el reciente avance, Samsung dijo que planea implementar la tecnología de procesamiento de clase de 10 nanómetros de segunda generación en sus chips de DRAM, lo que constituirá el 70 por ciento de su catálogo de DRAM.

La fima dijo que este mes comenzó la producción a plena escala de los chips de DRAM en su línea de producción en Pyeongtaek, al sur de Seúl, afirmando haber allanado el camino para que Samsung provea productos más estables a sus clientes.

Los chips de memoria DRAM LPDDR4X de 16 Gb son el doble de rápidos con respecto a los LPDDR3 de 4 Gb de clase de 20 nanómetros, que comenzaron su producción en abril de 2013.

Samsung añadió que el nuevo producto se compara favorablemente con los LPDDR4X de 16 Gb de clase de 10 nanómetros de primera generación, aplicados a los últimos teléfonos inteligentes emblemáticos, ya que mantiene la misma velocidad consumiendo un 10 por ciento menos de energía.

El paquete de DRAM de 8 gigabytes (GB), integrado por cuatro chips de 16 Gb, puede transmitir datos de 34,1 GB por segundo. Samsung añadió que los dispositivos móviles pueden hacerse un 20 por ciento más delgados con la reciente solución.

Asimismo, el gigante surcoreano dijo que planea continuar diversificando su línea de paquetes de DRAM de gama alta, de 4 a 8 GB, y satisfacer la demanda del mercado de soluciones mayores, más rápidas y más eficientes en su consumo energético.

La firma dijo que trata de proveer varios productos de diferentes capacidades en base a sus chips DRAM LPDDR4X de 16 Gb.

La llegada de los chips de memoria DRAM móviles de clase de 10 nanómetros permitirá mejorar considerablemente las soluciones para los dispositivos móviles emblemáticos, de próxima generación, que llegarán al mercado a finales de este año o comienzos de 2019.

paola@yna.co.kr

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